第1121章 10亿奖励?人类2.0世界脑力大赛!成本10%?掀桌子!(9 / 12)

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  说完,他往前迈了一步,掷地有声地说道:“我们放弃了半导体行业坚持五十年的电荷存储方案,转向阻变存储,也就是reram技术方案。”
  “原理其实很简单,在两层金属电极之间,夹一层只有几纳米厚的金属氧化物。”
  “施加电压,氧原子会移动,形成导电的丝状通道,电阻变低,这是1。”
  “施加反向电压,通道断裂,电阻变高,这就是0。”
  “不需要电容,不需要刷新,断电之后,数据也不会丟失。”
  台下传来一阵惊嘆声。
  吴欣鸿低声对雷逸军说道:“这好像不是新技术啊!reram几年前就有人研究了,小日子在这上面可没少花心思。”
  雷逸军嗯了一声,小声回道:“问题是一直没人能量產,良率和一致性都是灾难。”
  首先,reram器件间和循环间的电阻状態並不稳定,容易导致写入噪声、位错误和高缺陷率。
  这在大规模阵列生產中非常致命,很难保证高良率。
  其次,耐久性和数据保持稳定性也较差。
  说白了,就是不耐用。
  最后,它的物理机制复杂,依赖导电细丝,不易精確控制,极易受到工艺、材料和噪声的影响。
  除此之外,控制器、固件、接口和软体优化等,也都需要重新开发和验证。
  而现有dram、nand生態已经极为完善,替换成本极高。
  这也是reram长期无人问津的主要原因。
  仿佛听到了台下眾人心里的疑问,李道鸣接著说道:“但reram也有一个致命问题,那就是交叉阵列的漏电流。”
  大屏幕上出现了一个交叉阵列示意图。
  密密麻麻的横竖线交织在一起,某些节点被標成了红色。
  “当你要读取某个存储单元时,电流並不会乖乖只走你选中的那条路。”
  “它会从其他路径偷溜过去。”
  “这叫sneak—path。
  99
  “就像你在迷宫里放水,水会从所有缝隙漏出去,而不是只流向出口。”
  “之前的解决方案,是给每个存储单元加一个选择器。”
  “就像给每条路装上赶个单向阀门。”
  “可是传统选择器,丕么面积太大,丕么赶致太差。”
  说到这里,李道鸣的声音猛地加重了几分。
  “直到星源科技完善了1nm单次曝光生產工艺。”
  赶时间,全场寂静,只剩姑急促的呼吸声。 ↑返回顶部↑

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