第1121章 10亿奖励?人类2.0世界脑力大赛!成本10%?掀桌子!(8 / 12)

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  台下传来一阵窃窃私语。
  “不是我悲观,而是物理学不允许。”
  李道鸣说著,按下遥控器。
  屏幕上出现了一个dram存储单元的剖面图。
  “各位请看,这是传统dram的1t1c结构,一个电晶体加一个电容。”
  “电容用来存储电荷,电晶体则用来控制读写。”
  “看起来很简单,对吧?”
  “但当製程推进到10nm以下,电容的物理尺寸已经小到无法存储足够的电荷。”
  “这就像你用一个针眼大小的水桶去装水,水还没装满,就已经从边缘漏光了。”
  “为了解决这个问题,山星、sk海力士和美光等內存大厂,將电容做成深沟槽结构。”
  “可是沟槽越深,刻蚀就越难,良率也越低!”
  他的语速平稳,却字字扎心。
  这些都是行业痛点!
  dram电容缩放逼近物理极限,3dnand深宽比刻蚀良率告急。
  所有人都陷入了euv资本支出陷阱与多重曝光的成本墙中。
  天工科技虽说拥有一定成本优势,但那也是因为星源科技提供了內部採购价。
  他们能够以全球最低价买入破晓a3xeuv光刻机,以及6n级氖气,但想大幅降低成本,也不是一件容易的事情。
  “3dnand也一样。”
  “从64层堆到128层,深宽比已经超过了60:1。
  “这是什么概念?”
  “相当於你要在一根头髮丝粗细的管道里,钻出60倍深度的孔,还要保证孔壁光滑、
  垂直、不塌陷。”
  “晶圆边缘的良率,已经低到不能看。”
  李道鸣继续说道。
  他顿了顿,轻笑一声:“这就是2018年存储行业的真相。”
  “不是不想进步,而是物理学按住了我们的脖子。”
  “所以,老板又问了我第二个问题。”
  李道鸣话锋一转,眼神也亮了起来。
  “如果不存储电荷,我们还能存储什么?”
  “答案是,存储原子的状態!” ↑返回顶部↑

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